|
|
-
Шукуров У.Ш., Акчалов Ш.А., Медетбеков М.Т
-
Шукуров У.Ш., Акчалов Ш.А., Медетбеков М.Т
-
U.Sh. Shukurov, Sh.A. Akchalov, M.T. Medetbekov
-
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ
-
КРЕМНИЙ МОНОКРИСТАЛЛЫНДАГЫ ЗАРЯД АЛЫП ЖҮРҮҮЧҮЛӨРДҮН КЫЙМЫЛДУУЛУГУН ИЗИЛДӨӨ
-
RESEARCH OF THE MOBILITY OF CHARGE CARRIERS IN MONOCRYSTALINE SILICON
-
В статье рассматриваются факторы, влияющие на
подвижность носителей заряда в монокристаллах кремния. Показано, что для реального кристалла характерны
отклонения от периодичности решёток, связанные с тепловыми колебаниями структурных элементов, точечными
и линейными дефектами, примесями, которые присутствуют в веществе любой степени очистки и создают в запрещённой зоне уровни, глубина которых определяется энергией отрыва электрона из наружного слоя примесного атома. Такое полупроводниковое вещество содержит огромное количество свободных носителей заряда и, если приложить электрическое поле или воздействовать светом, или
создать градиент температуры или концентрации носителей заряда, происходит направленное движение носителей заряда, т.е. дрейф, и возникает электрический ток.
Показано также, что свободные носители заряда, движущиеся по кристаллу соударяясь с фононами, дефектами
кристаллической решётки и другими рассеиваются и последнее проявляется как электрическое сопротивление материала. Исследована подвижность носителей заряда, которая зависит от температуры, концентрации структурных дефектов и примесей.
-
Макалада кремний монокристаллындагы эркин заряд
алып жүрүүчүлөрдүн кыймылдуулугуна таасир этүүчү
факторлор каралды. Жылуулуктан термелүүлөрдүн, чекиттик жана сызыктуу дефектилердин, кошулмалардын
жана башкалары менен байланышкан торчонун мезгилдүүлүгүнүн бузулуулары реалдык кристаллдар үчүн мүнөздүү
болоору жана кошулмалар тыйуу салуу зонада энергетикалык денгээлдерди түзөрү көрсөтүлдү. Жарым өткөргүч
структурасында көп сандаган эркин заряд алып жүрүүчүлөрдү камтыйт. Эгер ушул жарым өткөргүчкө сырттан
электр талаасы менен таасир этсек же болбосо температура менен эркин заряд алып жүрүүчүлөрдүн концентрациясынын градиентин түзсөк, же жарык менен таасир
этсек, эркин заряд алып жүрүүчүлөрдүн багытталган
кыймылы, б.а. алардын дрейфи ишке ашып, электр тогу
пайда болот. Кристалл аркылуу кыймылдаган эркин заряд
алып жүрүүчулөр, структуранын деффектери, фонондору
жана башкалары менен кагылышып энергияларын жана
ылдамдыктарын азайтышат. Бул кубулуш электрдик каршылык түрүндө өзүн көрсөтөт. Заряд алып жүрүүчүлөрдүн кыймылдуулугу изилденип, анын кошулмалардан, температурадан жана структуранын дефекттилеринин концентрациясынан көз карандылыгы көрсөтүлдү.
-
The article discusses the factors influencing the mobility
of charge carriers in silicon single crystals. It is shown that a
real crystal is characterized by deviations from the lattice periodicity associated with thermal vibrations of structural elements,
point and linear defects, impurities that are present in a substance of any degree of purification and create levels in the forbidden zone, the depth of which is determined by the energy of
electron detachment from the outer layer of an impurity atom.
Such a semiconductor substance contains a huge amount of free
charge carriers, and if an electric field is applied or exposed to
light, or a temperature or carrier concentration gradient is created, a directed motion of charge carriers occurs, i.e. drift, and
an electric field arises. It is also shown that free charge carriers
moving through the crystal colliding with photons, crystal lattice
defects and others are scattered and the latter manifests itself as
the electrical resistance of the material. The mobility of charge
carriers is investigated, which depends on temperature, concentration of structural defects and impurities.
-
полупроводники, примеси, носители заряда, кристаллическая решётка, точечные дефекты, линейные дефекты, рассеяние энергии, столкновения, подвижность заряда.
-
жарым өткөргүчтөр, кошулмалар, заряд алып жүрүүчүлөр, кристалдык торчо, чекиттик дефекттер, сызыктуу дефектер, энергиянын чачырашы, кагылышуу, заряддын кыймылдуулугу.
-
semiconductors, impurities, charge carriers, crystal lattice, point defects, linear defects, energy scattering, collisions, charge mobility.
-
Шукуров Уметалы Шукурович, Национальная
Академия наук Кыргызской Республики,
г.Бишкек, Кыргызская Республика, кандидат
физико-математических наук.
Акчалов Шамшарбек Акчалович, Национальная
Академия наук Кыргызской Республики,
г.Бишкек, Кыргызская Республика, кандидат
физико-математических наук, доцент.
Медетбеков Мукамбеткалый Токтобаевич,
Национальная Академия наук Кыргызской
Республики, г.Бишкек, Кыргызская Республика,
кандидат химических наук, старший научный
сотрудник.
-
Шукуров Уметалы Шукурович, Кыргыз
Республикасынын Улуттук илимдер Академиясы,
Бишкек шаары, Кыргыз Республикасы, физика
жана математика илимдеринин кандидаты.
Акчалов Шамшарбек Акчалович, Кыргыз
Республикасынын Улуттук илимдер Академиясы,
Бишкек шаары, Кыргыз Республикасы, физика
жана математика илимдеринин кандидаты,
доцент.
Медетбеков Мукамбеткалый Токтобаевич,
Кыргыз Республикасынын Улуттук илимдер
Академиясы, Бишкек шаары, Кыргыз
Республикасы, химия илимдеринин кандидаты,
ага илимий кызматкер.
-
Umetaly Shukurov, National Academy of Sciences of
the Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz Republic,
candidate of physical and mathematical sciences.
Shamsharbek Akchalov, National Academy of
Sciences of the Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz
Republic, candidate of physical and mathematical
sciences, associate professor.
Mukambetkalyi Medetbekov, National Academy of
Sciences of the Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz
Republic, candidate of chemical Sciences, senior
researcher.
DOI:10.26104/NNTIK.2019.45.557
Шукуров У.Ш., Акчалов Ш.А., Медетбеков М.Т ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ. Наука, новые технологии и инновации Кыргызстана. 2020. №. 7. C. 13-16
|
