|
|
-
Шукуров У.Ш., Акчалов Ш.А., Медетбеков М.Т., Рыскулов Р.Р.
-
Шукуров У.Ш., Акчалов Ш.А., Медетбеков М.Т., Рыскулов Р.Р.
-
U.Sh. Shukurov, Sh.A. Akchalov, M.T. Medetbekov, R.R. Ryskulov
-
ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ПРИМЕСЕЙ НА КАЧЕСТВО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
-
КРЕМНИЙ МОНОКРИСТАЛЛЫНЫН САПАТЫНА ӨСТҮРҮҮ ШАРТТАРЫНЫН ЖАНА КОШУЛМАЛАРДЫН ТААСИР ЭТИШИ
-
INFLUENCE OF CONDITIONS OF CULTIVATION AND IMPURITIES ON THE QUALITY OF SINGLE CRYSTAL SILICON
-
В этой статье рассматриваются роль кристалли-за¬ции для очистки материала от посторонних примесей и дос¬тижении совершенства структуры кристалла. Изучено влияние условий выращивания на образование, скорость роста и получения мало дислокационных и без дис¬лока¬ционных монокристаллов. Исследовано влияние гравита¬ционных, электрических полей на процесс крис-тал¬ло¬образования, раскрыты их положительные и отри¬цବтельные факторы. Рассмотрено время жизни неос¬но⬬ных носителей заряда в монокристаллическом кремнии и влияние на него преднамеренно добавленных (легирующих) примесей. Изучены методы выращивания монокристал¬лов и показаны преимущества метода выращивания монокристаллов из расплава вытягиванием, т.е. метода Чохральского, что данный метод позволяет вырастит монокристалл любого размера, изменять площадь попе¬реч¬ного сечения монокристалла в процессе роста варьи¬ро¬ванием скорости вытягивания. Показаны также воз¬мож¬ные источники кислорода и углерода, загрязняю¬щие выращиваемого монокристалла кремния,
-
Бул макалада материалды бѳтѳн кошулмалардан та¬залоодо жана кристаллдын туура түзүлүшүнѳ жети-шүү¬дѳ крис¬таллдашуунун ролу каралат. Ѳстүрү шарт-та¬рынын мо¬но¬кристаллдардын түзүлүшүнѳ, ѳсүү ылдам¬дыгына жана аз дислокациялуу же болбосо дислокация¬сыз болу¬шу¬на тийгизген таасири изилденди. Гравитация¬лык, элект¬р¬дик талаалардын кристалл түзүү процессине тий¬гизген таасири изилденип, алардын оң жана терс жак¬та¬ры ачык кѳрсѳтүлдү. Монокристаллдарды ѳстү¬рүү ык¬ма¬ларын салыштыруу аркылуу монокристалл¬дар¬ды эри¬тин¬динден тартуу ыкмасынын, башкача айткан¬да, Чохральскийдин ыкмасынын артыкчылыгы, бул ыкма¬нын жардамы менен каалагандай ѳлчѳмдѳгү монокрис¬талл ѳс¬түрүүгѳ, анын кесилиш аянтын ѳстүрүп жат¬кан¬да ѳсүү ылдамдыгын ѳзгѳртүү жолу менен кичирейтип же чо-нойтууга мүмкүн экендиги айкындалды. Булардан сырт-кары момнокристаллдын структурасын булганууга алып келген кошулмалар кычкыл тек менен кѳмүр тектин булактары кѳрсѳтүлдү.
-
This article discusses the role of crystallization to clean the material from foreign impurities and achieve perfection of the crystal structure is considered. The impact of growing conditions on education, growth rate and receipt of low dislo-ca¬tion and non-dislocation monocrystals has been studied. The influence of gravitational electric fields on the crystal formation process has been investigated, and their positive and negative factors have been revealed. The life time of non-essential charge carriers in monocrystalline silicon and the effect of intentionally added (doping) impurities are consi¬de-red. The methods of growing monocrystals have been studied and the advantages of the method of growing monocrystals from the melt by pulling, i.e. the Chokhral method, are studied, that this method allows to grow a monocrystal of any size, to change the area of the transverse cross-sections of the mono-crystal in the process of growth by varying the pull rate. Possible sources of oxygen and carbon that pollute the grown silicon monocrystal are also shown.
-
образование кристаллов, рост крис¬таллов, скорость роста, дислокация, примесь, крем¬ний, время жизни, монокристалл, электрическое поле.
-
кристаллдын түзүлүшү, кристалл¬дын ѳсүшү, ѳсүү ылдамдыгы, дислокация, кошулма, крем¬ний, жашоо убактысы, монокристалл, технология, электр талаасы.
-
formation of crystals, growth of crystals, growth rate, dislocation, impurity, silicon, life time, mono¬crys¬tal, technology, electric field.
-
Шукуров У.Ш., Национальная академия наук
Кыргызской Республики, г.Бишкек, КР.
Акчалов Шамшарбек Актанович, Национальная
академия наук Кыргызской Республики,
г.Бишкек, Кыргызская Республика, Институт
автоматики и информационных технологий,
кандидат физико-математических наук, доцент.
Медетбеков Муканбеткали Токтобаевич,
Национальная академия наук Кыргызской
Республики, г.Бишкек, Кыргызская Республика,
Институт химии и фитотехнологии, кандидат
химических наук, старший научный сотрудник.
Рыскулов Р.Р., Национальная академия наук
Кыргызской Республики, г.Бишкек, КР.
-
Шукуров У.Ш., Кыргыз Республикасынын Улуттук
илимдер Академиясы, Бишкек шаары, КР.
Акчалов Шамшарбек Актанович, Кыргыз
Республикасынын Улуттук илимдер
Академиясы, Бишкек шаары, Кыргыз
Республикасы, Автоматика жана маалыматтык
технологиялар институту, физика жана
математика илимдеринин кандидаты, доцент.
Медетбеков Муканбеткали Токтобаевич, Кыргыз
Республикасынын Улуттук илимдер академиясы,
Бишкек шаары, Кыргыз Республикасы, Химия
жана фитотехнология институту, химия
илимдеринин кандидаты, ага илимий кызматкер.
Рыскулов Р.Р., Кыргыз Республикасынын улуттук
илимдер академиясы, Бишкек шаары, КР.
-
U. Shukurov, National Academy of Sciences of the
Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz Republic.
Shamsharbek Akchalov, National Academy of
Sciences of the Kyrgyz Republic, Bishkek,
Kyrgyz Republic, Institute of automation and
information technologies, candidate of physical
and mathematical sciences, associate professor.
Mukanbetkali Medetbekov, National Academy of
Sciences of the Kyrgyz Republic, Bishkek,
Kyrgyz Republic, Institute of chemistry and
phytotechnology, candidate of chemical sciences,
senior researcher.
R. Ryskulov, National Academy of Sciences of the
Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz Republic.
Шукуров У.Ш., Акчалов Ш.А., Медетбеков М.Т., Рыскулов Р.Р. ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ПРИМЕСЕЙ НА КАЧЕСТВО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ. Известия ВУЗов Кыргызстана. 2019. №. 8. C. 36-40
|
