|
|
-
Сыдык уулу Н., Кутанов А.А. Снимщиков И.А.
-
Сыдык уулу Н., Кутанов А.А. Снимщиков И.А.
-
Sydyk uulu N., A. Kutanov, I. Snimshikov
-
ПРЯМАЯ ЛАЗЕРНАЯ ЗАПИСЬ МИКРОРЕШЕТОК ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫМ МЕТОДОМ НА ПЛЕНКАХ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ
-
АМОРФТУК КРЕМНИЙ ПЛЕНКАЛАРЫНА ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ЫКМАСЫ МЕНЕН МИКРОТОРЧОЛОРДУ ТҮЗ ЛАЗЕРДИК ЖАЗУУ
-
DIRECT LASER RECORDING OF MICROGRATINGS BY INTERFERENCE METHOD ON AMORPHOUS SILICON FILMS
-
Экспериментально исследована прямая лазерная запись
микрорешёток интерференционным методом на пленках аморфного кремния импульсным лазером с длиной волны 355 нм.
Проведены измерения периода (≤ 1мкм) и амплитуды поверхностного рельефа (8-100 нм) записанных микрорешеток. Амплитуда рельефа микрорешёток 8-100 нм зависит от толщины
слоя a-Si. Увеличение числовой апертуры записывающего микрообъектива и расстояния между лазерными пучками позволит
формировать структуры с периодом до 0.4 мкм при записи лазером с λ=355 нм. Экспериментально показано, что при прямой
лазерной записи микрорешеток происходит локальная кристаллизация в слое аморфного кремния и образование рельефа микрорешётки на поверхности слоя. Метод записи микрорешёток
на a-Si импульсным лазером с λ=355 нм с энергией записи
E ̴ 0,10 мкДж имеет примерно в 5-6 раз более высокую чувствительность, чем термохимическая запись на плёнках хрома. Метод прямой лазерной записи дифракционных структур на пленках аморфного кремния может упростить технологию изготовления дифракционных оптических элементов (ДОЭ), защитных оптических элементов.
-
Толкун узундугу 355 нм болгон импульстук лазерди колдонуу менен аморфтук кремний пленкаларына интерференция
ыкмасын колдонуу менен микромикроторчолорду түз лазердик жазуу эксперименталдык жактан изилденген. Жазылган
микроторчолордун беттик рельефинин мезгили (≤ 1мкм)
жана амплитудасы (8-100 нм) өлчөнгөн. 8-100 нм микроторчонун рельефинин амплитудасы a-Si катмарынын калыңдыгына жараша болот. Жазуучу микролинзанын сандык апертурасын жана лазердик нурлардын ортосундагы аралыкты жогорулатуу λ=355 нм лазер менен жаздырууда 0,4 мкмге чейинки
мезгили бар структураларды түзүүгө мүмкүндүк берет. Микроторчолорду түз лазердик жазууда аморфтук кремний катмарында локалдык кристаллдашуу жана катмардын бетинде
микроторчонун рельефи пайда болушу көрсөтүлгөн. λ=355 нм
жана жазуу энергиясы E=0,10 мкДж болгон импульстук лазер менен a-Si ге микрорешеткаларды жазуу ыкмасы хром
пленкаларына термохимиялык жазууга караганда болжол менен 5-6 эсе жогору сезгичтикке ээ. Аморфтук кремний пленкаларында дифракциялык түзүлүштөрдү түз лазердик жазуу
ыкмасы дифракциялык оптикалык элементтерди (ДОЭ) жана коргоочу оптикалык элементтерди жасоонун технологиясын жөнөкөйлөштүрүү мүмкүн.
-
Direct laser writing of microgratings using the interference
method on amorphous silicon films using a pulsed laser with a
wavelength of 355 nm was experimentally studied. The period (≤ 1
µm) and amplitude of the surface relief (8-100 nm) of the recorded
microgratings were measured. The amplitude of the relief of
microgratings 8-100 nm depends on the thickness of the a-Si layer.
Increasing the numerical aperture of the recording microlens and
the distance between the laser beams will make it possible to form
structures with a period of up to 0.4 μm when recording with a laser with λ = 355 nm. It has been experimentally shown that during
direct laser writing of microgratings, local crystallization occurs
in a layer of amorphous silicon and the formation of a micrograting relief on the surface of the layer. The method of writing microgratings on a-Si with a pulsed laser with λ=355 nm and a recording energy E = 0.10 μJ has approximately 5-6 times higher sensitivity than thermochemical writing on chromium films. The method
of direct laser recording of diffraction structures on amorphous silicon films can simplify the technology for manufacturing diffractive optical elements (DOEs) and protective optical elements.
-
аморфный кремний, прямая лазерная запись, импульсный УФ-лазер, оптика, дифракционные оптические элементы.
-
аморфтук кремний, түз лазердик жазуу, импульстук УК-лазер, оптика, дифракциялык оптикалык элементтер.
-
amorphous silicon, direct laser recording, semiconductor laser, optics, diffractive optical elements.
-
Сыдык уулу Нурбек, Национальная академия наук
Кыргызской Республики, г.Бишкек, Кыргызская
Республика, научный сотрудник.
Кутанов Аскар Асанбекович, Национальная
академия наук Кыргызской Республики, г.Бишкек,
Кыргызская Республика, доктор технических
наук.
Снимщиков Игорь Алексеевич, Национальная
академия наук Кыргызской Республики, г.Бишкек,
КР, научный сотрудник.
-
Сыдык уулу Нурбек, Кыргыз Республикасынын
Улуттук илимдер академиясы, Бишкек шаары,
Кыргыз Республикасы, илимий кызматкер.
Кутанов Аскар Асанбекович, Кыргыз
Республикасынын Улуттук илимдер академиясы,
Бишкек шаары, Кыргыз Республикасы, техника
илимдеринин доктору.
Снимщиков Игорь Алексеевич, Кыргыз
Республикасынын Улуттук илимдер академиясы,
Бишкек шаары, КР, илимий кызматкер.
-
Sydyk uulu Nurbek, National Academy of Sciences of
the Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz Republic,
researcher.
Askar Kutanov, National Academy of Sciences of the
Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz Republic, doctor
of technical sciences.
Igor Snimshikov, National Academy of Sciences of the
Kyrgyz Republic, Bishkek, Kyrgyz Republic,
researcher.
10.26104/NNTIK.2023.82.25.001
Сыдык уулу Н., Кутанов А.А. Снимщиков И.А. ПРЯМАЯ ЛАЗЕРНАЯ ЗАПИСЬ МИКРОРЕШЕТОК ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫМ МЕТОДОМ НА ПЛЕНКАХ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ. Наука, новые технологии и инновации Кыргызстана. 2023. №. 7. C. 3-7
|
